Arquitectura 3D V-NAND. Els records V-NAND 3D es fan verticalment en pila 32 capes de cel·les. Per tant, es converteix en densitat i rendiment més alt amb el consum d'energia menor. Samsung's 850 el promotion SSD us proporciona una velocitat d'escriptura al model de 128 GB* que supera en creixement dels 80 MB/s d'altres models. Augmenta el rendiment quan necessiteu mode Rapid. El programari Magician de la seva unitat SSD ha lliurat a 1.8 més amunt que el processament de dades quan s'utilitza la memòria lliure DRAM com a memòria cau del teu ordinador. Té la doble força que el model previ, que fa que sigui molt més llarg. Sí.

Samsung MZ- N6E1T0 M. 2 1000 GB A AT III V- NAND MLC

Samsung 1,92TB SSD (PM9A3). Disc d'alt nivell SSD 2. 5 " amb índex de lectura/ escriptura de 6800MBps (llegir) i 2700MBps (escrit). Interfície U. 2 PCIe 4. 0 x4 (NVMe). 5 anys d'ordre.

Samsung SSD 3.4TB (MP9A3gamma). Disc S SSD d'alt nivell 2, amb índex de lectura i escriptura de 6900MBps (bibing) i 4100MBps (escrit). Interfície U. 2 PCIe 4. 0 x4 (NVMe). 5 anys d'ordre.

Samsung SSD 7.68TB (PM9A3). Disc d'alt nivell SSD 2. 5 " amb índex de lectura/ escriptura de 6700MBps (llegir) i 400MBps (escrit). Interfície U. 2 PCIe 4. 0 x4 (NVMe). 5 anys d'ordre.

Samsung 960GB SSD (MP9A3gamma). Disc d'alta definició 2.5" SSD, amb índex de lectura/ escriptura de 6500MBps (llegir) i 1500MBps (escrit). Interfície U. 2 PCIe 4. 0 x4 (NVMe). 5 anys d'ordre.

Disco SSD 250GB. Unidad de 2,5", SATA: Sata 6GB/S, Lectura hasta 540MB/seg y escritura hasta 240MB/seg. Categoría: Usado

Tablet Android SAMSUNG Galaxy Tab 7.0 Plus (16GB) Categoría: Usado

- Disco SSD 1Tb SAMSUNG T5 s/n: S6XDNS0W916410 - Cable USB - USB_C - Soporte

Els Samsung 990 EVO A més, és un magatzem a l'estat sòlid amb una capacitat de 4 TB i velocitat de 7250 MBps/ reading i 6300 MBps d'escriptura. La unitat ofereix interfícies PCI Express 4. 0 i 5.0. Cinc anys.